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Dass Fertigungstechniken unermüdlich optimiert werden und das zu immer schnelleren und preiswerteren Prozessore/Chips führt, wird alle Weile gemeldet.

Diesmal teilt Intel allerdings eine recht spektakuläre Sache mit: die Neuerfindung des Transistors mit einer 3D-Struktur. Das erste Mal seit Erfindung des Transistors vor über 50 Jahren werden Silizium-Transistoren aus einem dreidimensionalen Aufbau bestehen.

Die neuen Transistoren sollen in Verbindung mit 22 Nanometer Fertigungsgröße beispiellose Energieersparnis und Rechenleistung ermöglichen. Die neuen "Tri-Gate-Transistoren" erklärt Intel unter anderem vereinfacht. Architekten können verfügbaren Platz besser nutzen, in dem sie Hochhäuser bauen.

Durch die Struktur 3D-Tri-Gate-Transistoren lässt sich vergleichsweise die Transistordichte besser verwalten. Da die Struktur senkrecht in die Höhe zeigt, können die Transistoren enger zusammengefügt werden, was ein wichtiger Punkt für die weitere Einhaltung des Mooreschen Gesetzes in den kommenden Jahren ist - also, dass sich die Anzahl der möglichen Schaltkreiskomponenten in einem Chip alle zwei Jahre verdoppelt.

Für die kommenden Generationen der 3D-Tri-Gate-Transistoren haben Entwickler auch die Möglichkeit, die Höhe zu steigern und damit noch höhere Rechenleistung und Energieersparnis zu ermöglichen. Im Vergleich zu aktuellen zweidimensionalen 32nm Transistoren benötigen die 22nm 3D-Tri-Gate-Transistoren weniger Schaltstrom, stellen dabei aber bis zu 37 Prozent mehr Schaltgeschwindigkeit zur Verfügung.

Dieser Fortschritt bedeutet, dass Prozessoren mit 3D-Tri-Gate-Transistoren für den Einsatz in kleinen tragbaren Geräten ideal geeignet sind, da diese mit niedrigem Schaltstrom auskommen müssen. Auch in anderen Anwendungsgebieten sollen sich die neuen Transistoren dadurch auszeichnen, dass sich bei gleicher Rechenleistung im Vergleich zu 32nm 2D-Transistoren der Strombedarf halbiert.

Intel hebt hervor, dass die Leistungssteigerung und Energieersparnis der 3D-Transistoren nicht vergleichbar mit dem ist, was es bisher gab und dass dieser Durchbruch viel mehr als nur eine Fortschreibung des Mooreschen Gesetzes sei. Die Vorteile, die sich durch die geringere Kernspannung ergeben, übertreffen bei weitem das, was sich normalerweise bei Auftritt einer neuen Prozessgeneration ergibt.

Mit diesem Meilenstein will Intel seine Technologieführerschaft in der Halbleiterbranche noch weiter ausbauen. Viele weiteren Fakten und Bilder der neuen Technologie finden sich hier bei Intel: PressKit - 3D-Tri-Gate-Transistoren.

Michael Nickles meint: Intels neue Technik kommt zum richtigen Zeitpunkt. Denn: in der Halbleiterecke ist ja der Konkurrent Samsung (die Nummer zwei) Intel aktuell enorm auf den Fersen (siehe Kann Intel seine Marktmacht 2011 halten?).

Irre ist die neue Technologie auf jeden Fall und nicht-technisch-denkende Menschen können mit dem "Zahlenmaterial" gewiss nicht viel anfangen. Intel hat in der Pressemitteilung dazu ein recht anschauliches Beispiel beigepackt: in dem Punkt am Ende dieses Satzes, lassen sich sechs Millionen Tri-Gate-Transistoren unterbringen.